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芯片去层

世纪芯采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法进行芯片层次去除,满足各种芯片的去层次需求,包括去除聚酰亚氨层(Polyimide)、去除oxide氧化层(SIO2、SI3N4)、去除passivation钝化层(SIO2、SI3N4)、去除Metal金属层(Al 、CU、W)、以及去除poly器件层以利染色或观察衬底。
芯片去层的具体步骤
采用RIE的铜和低k材料的芯片去层工艺须经权衡,以优化刻蚀的选择性,并防止RIE毛刺和表面粗糙。在背面FA工艺中有三个主要步骤:背面取样预备、背面缺陷定位和背面物理分析