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世纪芯采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法进行芯片层次去除，满足各种芯片的去层次需求，包括去除聚酰亚氨层（Polyimide）、去除oxide氧化层（SIO2、SI3N4）、去除passivation钝化层（SIO2、SI3N4）、去除Metal金属层（Al 、CU、W）、以及去除poly器件层以利染色或观察衬底。
芯片去层的具体步骤
采用RIE的铜和低k材料的芯片去层工艺须经权衡,以优化刻蚀的选择性,并防止RIE毛刺和表面粗糙。在背面FA工艺中有三个主要步骤:背面取样预备、背面缺陷定位和背面物理分析
经典案例
该400W短波发射机是已经实现二次开发的典型产品案例之一.
本高速正面6轴绕线机是世纪芯在原样机的基础上进行....
本二维医学影像工作站是世纪芯在原样机的基础上进行二次...
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芯片去层
2009-5-23 12:43:16
Tags: 芯片去层 芯片
发布:admin| 分类:芯片解密| 评论:0| 引用:0| 浏览:
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