半导体管特性图示仪是世纪芯反向研究的成功案例之一，目前我们已完全攻克了此类产品的技术壁垒，可一次性100%成功克隆此类产品，并可根据用户需求提供定制化服务，实现其产品功能的升级与扩展，帮助客户把握产品的设计思路，融入到自己的设计中，开发出更高端的产品。为了尊重保密协议，现仅做产品介绍：
 

半导体管特性图示仪抄板案例

　　半导体管特性图示仪,可以同时测量两路信号，对两只被测三极管图形各自独立移动，以便进行测量比较。并设测量三端稳压集成稳压电路的专用测试台（选件）。
　　主要特点
　　显示半导体器件的各种特性曲线
　　测量半导体器件静态参数
　　测量半导体器件极限参数
　　双极型晶体管双簇显示
　　主要技术指标
　　尺寸重量 320×240×420（高×宽×深）16kg
　　用电电源 220V±10％
　　Y轴集电极电流范围(IC)：10μA/div～0.5A/div分15档，误差不超过±5%
　　二极管反向漏电流(IR)：0.2μA/div～5μA/div分5档
　　IR accuracy：2μA/div、5μA/div误差不超过±5%，1μA/div误差不超过±7%，0.5μA/div误差不超过±10%，0.2μA/div误差不超过±20%
　　X轴集电极电压范围(Vce)：0.1V/div～50V/div分9档，误差不超过±5%
　　基极电压范围(Vbe)：0.1V/div～5V/div分6档，误差不超过±5%
　　阶梯电流范围：阶梯电流范围0.1μA/级～50mA/级 分18档，1μA/级～50mA/级 误差不超过±5%，0.1μA/级～0.5μA/级 误差不超过±7%
　　阶梯电压范围：0.05V//级～1V/级 分5档 误差不超过±5%
　　串联电阻：10Ω、10kΩ、0.1MΩ分3档 误差不超过±10%
　　校正信号：0.5Vp-p 误差不超过±2%（频率为市电频率），1Vp-p 误差不超过±2%（频率为市电频率）